IGBT模块MOS器件碳化硅二极管双脉冲测试仪
188.00/台
IGBT模块MOS器件碳化硅二极管双脉冲测试仪
  • 产品详情
  • 规格参数
  • 联系方式

1规格环境

工作电压:三相五线制AC380V±10%,或单相三线制AC220V±10%

电网频率:50Hz±1Hz

海拔高度:海拔不超过1000m

温度:储存环境温度 -20℃60℃

工作环境温度:-5℃40℃

湿度:20%RH90%RH (无凝露,湿球温度计温度:40℃以下)

防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;

气源:≥0.6Mpa

2系统功能

测试系统可对各类型二极管、IGBTMOSFET半导体功率器件的各项动态参数进行测试。

开通特性测试单元:开通时间ton、上升时间tr、开通延迟时间td(on)、开通损耗Eon、电流尖峰Ic-peak max、电流变化率di/dt

关断特性测试单元:关断时间toff、下降时间tf、开通延迟时间td(off)、开通损耗Eoff、、拖尾电流It、拖尾时间Tt、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt

反向恢复测试单元:反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复损耗Erec、反向恢复峰值电压Vrrpeak、反向恢复电压变化率dv/dt、反向恢复峰值功耗Prrpeak

短路安全工作区单元;

反偏安全工作区单元;


交谈

店铺

评论

立即购买