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HUSTEC华科智源
HUSTEC-1600A-MT
大功率模块测试仪
一:大功率模块测试仪主要特点
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;
大功率模块测试仪测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。
二:华科智源大功率模块测试仪应用范围
A:IGBT单管及模块,
B:大功率场效应管(Mosfet)
C:大功率二极管
D:标准低阻值电阻
E:轨道交通,风力发电,新能源汽车,变频器,焊机等行业筛选以及在线故障检测
三、华科智源大功率模块测试仪特征:
A:测量多种IGBT、MOS管
B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广;
C:脉冲宽度 50uS~300uS
D:Vce测量精度2mV
E:Vce测量范围>10V
F:电脑图形显示界面
G:智能保护被测量器件
H:上位机携带数据库功能
I:MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;
序号 | 测试项目 | 描述 | 测量范围 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二极管正向导通压降 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二极管正向导通电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
3 | >200A时,1A | >200A时,±1% | |||
4 | Vces | 集电极-发射极电压 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通态集电极电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
6 | >200A时,1A | >200A时,±1% | |||
7 | Ices | 集电极-发射极漏电流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 栅极-发射极阈值电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集电极-发射极饱和电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向栅极漏电流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向栅极漏电流 | |||
12 | Vges | 栅极发射极电压 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
IGBT静态参数测试仪整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用
1) 物理规格
设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)mm;
质量:30kg
2) 环境要求
海拔高度:海拔不超过 1000m;
储存环境:-20℃~50℃;
工作环境:15℃~40℃。
相对湿度:20%RH ~ 85%RH ;
大气压力:86Kpa~ 106Kpa。
防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
3) 水电气 用电要求:AC220V,±10%;
电网频率:50Hz±1Hz