IGBT,SiC MOS输入电容Cies测试服务(长禾实验室)
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IGBT,SiC MOS输入电容Cies测试服务(长禾实验室)
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西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是**CNAS 认可实验室,属于**大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有**的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

长禾实验室检测能力范围
1功率金属氧化物场效应管1漏源间反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407只测: -3.5kV~3.5kV
2通态电阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1只测: 0~10kΩ,,0~1500A
3阈值电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404只测: -10V~10V
4漏极反向电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1只测: -100mA~100mA
5栅极漏电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1只测: -100mA~101mA
6体二极管压降半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4只测: 0A~1500A
7跨导半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2只测: 1ms~1000s
8开关时间半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
9半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
10体二极管反向恢复时间半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1只测: 10ns~2µs
11体二极管反向恢复电荷半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1只测: 1nC~100µC
12栅极电荷半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3只测: Qg:0.5nC~500nC
13单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
14栅极串联等效电阻功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)只测: 0.1Ω~50Ω
15稳态热阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1只测: Ph:0.1W~250W
16半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161只测: Ph:0.1W~250W
17输入电容半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10只测: -3kV~3kV,0~1MHz
18输出电容半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11只测: -3kV~3kV,0~1MHz
19反向传输电容半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12只测: -3kV~3kV,0~1MHz
20老炼试验半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042只测: 条件A、条件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃
21温度,反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017只测: HTRB和HTGB试验
22间歇功率试验半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042只测: 条件D(间歇功率)
23稳态功率试验半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042只测: 条件C(稳态功率)
2二极管1反向漏电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4只测: 0~100mA
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016只测: 0~100mA
2反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2只测: 0~3.5kV
3正向压降半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4只测: IS:0A~6000A
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011只测: IS:0A~6000A
4浪涌电流半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066只测: If:0A~9000A
5反向恢复电荷半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1只测: 1nC~100µC
反向恢复时间半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1只测: 10ns~2us
6二极管反压变化率半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476只测: VR:5V~3300V, IF:1A~1500A
7单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064只测: L:0.01mH~159.9mH, IAS:0.1A~1500A
稳态热阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136只测: Ph:0.1W~80W
8总电容电荷半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8只测: -3kV~3kV,0~1MHz
9结电容半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8只测: -3kV~3kV,0~1MHz
3晶闸管1门极触发电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1只测: 100nA~500mA
2门极触发电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1只测: 5mV~5V
3维持电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2只测: 10µA~1.5A
4擎住电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2只测: 10µA~1.5A
5浪涌电流半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013只测: ITSM:0A~9000A
6正向漏电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1只测: 1nA~100mA
7反向漏电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1只测: 1nA~100mA
8正向导通压降半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1只测: IT:0~6000A
9稳态热阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181只测: Ph:0.1W~250W
4晶体管1直流增益半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1只测: 1~50000
2集射极饱和压降半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071只测: 0~1250A
3集射电极关态电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1只测: 0~100mA
4集基电极关态电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1只测: 0~100mA
5射基极关态电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1只测: 0~100mA
6集射极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011只测: -3.5kV~3.5kV
7集基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1只测: -3.5kV~3.5kV
8射基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1只测: -3.5kV~3.5kV
9基射极电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1只测: 0V~1250A
10稳态热阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6只测: Ph:0.1W~250W
5绝缘栅双极型晶体管1集射间反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407只测: -3.5kV~3.5kV
2通态电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1只测: 0~1500A
3通态电阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1只测: 0~10kΩ
4集电极反向漏电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1只测: 0~100mA
5栅极漏电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1只测: 0~100mA
6跨导半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2只测: 1ms~1000s
7开关时间&损耗半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1只测: VD:5V~3.3kV, ID:0.5A~1500A
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12只测: 5V~3.3kV
8短路耐受时间半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479只测: ISC:10A~5000A , TSC:1us~50us
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6只测: 5V~3.3kV
9栅极电荷半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3只测: Qg:0.5nC~100uC
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9只测: 5V~3.3kV
10二极管反向恢复时间半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.6只测: 5V~3.3kV
11单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
12栅极串联等效电阻功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)只测: 0.1Ω~50Ω
13稳态热阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103只测: Ph:0.1W~250W
16输入电容半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6只测: -3kV~3kV,0~1MHz
17输出电容半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7只测: -3kV~3kV,0~1MHz
18反向传输电容半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8只测: -3kV~3kV,0~1MHz
19较大反偏安全工作区半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5只测: 5V~3.3kV
6通用电子产品1高低温循环试验半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
温度循环 JESD22-A104E:2014只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
2高温试验微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1只测: 较高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1031, 1032只测: 较高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T 2423.2-2008只测: 较高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm
3低温试验电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.1-2008只测: 较低温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm
4高温存储寿命试验高温存储寿命试验 JESD22-A103E:2015只测: 较高温度:180℃, 容积: 58cm×76cm×75cm
5低温存储寿命试验低温存储寿命试验 JESD22-A119A:2015只测: 较低温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm


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