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西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是**CNAS 认可实验室,属于**大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有**的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。
长禾实验室检测能力范围 | |||||
1 | 功率金属氧化物场效应管 | 1 | 漏源间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测: -3.5kV~3.5kV |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测: -3.5kV~3.5kV | ||||
2 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测: 0~10kΩ,,0~1500A | ||
3 | 阈值电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 | 只测: -10V~10V | ||
4 | 漏极反向电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只测: -100mA~100mA | ||
5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测: -100mA~101mA | ||
6 | 体二极管压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测: 0A~1500A | ||
7 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测: 1ms~1000s | ||
8 | 开关时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A | ||
9 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 | 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A | |||
10 | 体二极管反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测: 10ns~2µs | ||
11 | 体二极管反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测: 1nC~100µC | ||
12 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只测: Qg:0.5nC~500nC | ||
13 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A | ||
14 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测: 0.1Ω~50Ω | ||
15 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只测: Ph:0.1W~250W | ||
16 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 | 只测: Ph:0.1W~250W | |||
17 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
18 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
19 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
20 | 老炼试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测: 条件A、条件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃ | ||
21 | 温度,反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 | 只测: HTRB和HTGB试验 | |||
22 | 间歇功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测: 条件D(间歇功率) | ||
23 | 稳态功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测: 条件C(稳态功率) | ||
2 | 二极管 | 1 | 反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4 | 只测: 0~100mA |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016 | 只测: 0~100mA | ||||
2 | 反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2 | 只测: 0~3.5kV | ||
3 | 正向压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测: IS:0A~6000A | ||
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011 | 只测: IS:0A~6000A | ||||
4 | 浪涌电流 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066 | 只测: If:0A~9000A | ||
5 | 反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测: 1nC~100µC | ||
反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测: 10ns~2us | |||
6 | 二极管反压变化率 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476 | 只测: VR:5V~3300V, IF:1A~1500A | ||
7 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064 | 只测: L:0.01mH~159.9mH, IAS:0.1A~1500A | ||
稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136 | 只测: Ph:0.1W~80W | |||
8 | 总电容电荷 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
9 | 结电容 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
3 | 晶闸管 | 1 | 门极触发电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只测: 100nA~500mA |
2 | 门极触发电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只测: 5mV~5V | ||
3 | 维持电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只测: 10µA~1.5A | ||
4 | 擎住电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只测: 10µA~1.5A | ||
5 | 浪涌电流 | 半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013 | 只测: ITSM:0A~9000A | ||
6 | 正向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1 | 只测: 1nA~100mA | ||
7 | 反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1 | 只测: 1nA~100mA | ||
8 | 正向导通压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1 | 只测: IT:0~6000A | ||
9 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181 | 只测: Ph:0.1W~250W | ||
4 | 晶体管 | 1 | 直流增益 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1 | 只测: 1~50000 |
2 | 集射极饱和压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071 | 只测: 0~1250A | ||
3 | 集射电极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1 | 只测: 0~100mA | ||
4 | 集基电极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1 | 只测: 0~100mA | ||
5 | 射基极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1 | 只测: 0~100mA | ||
6 | 集射极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2 | 只测: -3.5kV~3.5kV | ||
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011 | 只测: -3.5kV~3.5kV | ||||
7 | 集基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1 | 只测: -3.5kV~3.5kV | ||
8 | 射基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1 | 只测: -3.5kV~3.5kV | ||
9 | 基射极电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1 | 只测: 0V~1250A | ||
10 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6 | 只测: Ph:0.1W~250W | ||
5 | 绝缘栅双极型晶体管 | 1 | 集射间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测: -3.5kV~3.5kV |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测: -3.5kV~3.5kV | ||||
2 | 通态电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1 | 只测: 0~1500A | ||
3 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测: 0~10kΩ | ||
4 | 集电极反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只测: 0~100mA | ||
5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测: 0~100mA | ||
6 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测: 1ms~1000s | ||
7 | 开关时间&损耗 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1 | 只测: VD:5V~3.3kV, ID:0.5A~1500A | ||
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12 | 只测: 5V~3.3kV | ||||
8 | 短路耐受时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479 | 只测: ISC:10A~5000A , TSC:1us~50us | ||
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6 | 只测: 5V~3.3kV | ||||
9 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只测: Qg:0.5nC~100uC | ||
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9 | 只测: 5V~3.3kV | ||||
10 | 二极管反向恢复时间 | 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.6 | 只测: 5V~3.3kV | ||
11 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A | ||
12 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测: 0.1Ω~50Ω | ||
13 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103 | 只测: Ph:0.1W~250W | ||
16 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
17 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
18 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | ||
19 | 较大反偏安全工作区 | 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5 | 只测: 5V~3.3kV | ||
6 | 通用电子产品 | 1 | 高低温循环试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051 | 只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm |
温度循环 JESD22-A104E:2014 | 只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm | ||||
2 | 高温试验 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1 | 只测: 较高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm | ||
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1031, 1032 | 只测: 较高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm | ||||
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T 2423.2-2008 | 只测: 较高温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm | ||||
3 | 低温试验 | 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.1-2008 | 只测: 较低温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm | ||
4 | 高温存储寿命试验 | 高温存储寿命试验 JESD22-A103E:2015 | 只测: 较高温度:180℃, 容积: 58cm×76cm×75cm | ||
5 | 低温存储寿命试验 | 低温存储寿命试验 JESD22-A119A:2015 | 只测: 较低温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm |